|
|
| 资料类型： |
PDF文件
|
| 关键词： |
cdmnte in 掺杂 x 射线衍射 电阻率 红外透过率
|
| 资料大小： |
326K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉) |
| 简介： |
|
采用垂直Bridgman法生长了In掺杂Cd0.8Mn0.2Te晶体（CdMnTe∶In）和本征的Cd0.8Mn0.2Te晶体(CdMnTe)。X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线和位错密度测试表明，所生长晶体均为立方闪锌矿结构，半峰宽为40～80arcsec，位错密度为104～105cm-2，结晶质量良好。In掺杂不影响晶体的结构和结晶质量。电流-电压（I-V）测试表明，CdMnTe:In晶体的电阻率为1～3109Ωcm，与CdMnTe晶体相比上升了3个数量级。近红外光透过光谱（IRtransmission）研究发现In掺杂后CdMnTe晶体红外透过率降低，在波数范围4000～1000cm-1，CdMnTe晶体红外透过率为51.2%～56.4%，而CdMnTe∶In的红外透光率为15.4%～21.6%。 |
|
| 作者： |
张继军，王领航，王涛，曾冬梅，介万奇
|
| 上传时间： |
2008-08-22 15:03:03 |
| 下载次数： |
39 |
| 消耗积分： |
2
|
| 立即下载： |
|
|
| 友情提示：下载后对该资源进行评论，即可奖励2分。 |
|
| 报告错误： |
1.下载无效
2. 资料明显无价值
3. 资料重复存在 |
