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> 电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列
电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列
电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列
资料类型:
PDF文件
关键词:
电化学刻蚀
多孔InP
多孔硅
SEM
资料大小:
234K
所属学科:
分子表征
来源:
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议(9.12-9.16,北京.秦皇岛)
简介:
电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法。本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法。SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构。
作者:
李国庆 刘爱民 潘萌 杜晓书 郭凡
上传时间:
2007-07-13 14:36:08
下载次数:
615
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