正向电压及氧化时间对ZAlSi12 微弧氧化陶瓷层特性的影响，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载 -亚博体育

正向电压及氧化时间对ZAlSi12 微弧氧化陶瓷层特性的影响

资料类型：

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关键词：

ZAlSi12 微弧氧化正向电压氧化时间

资料大小：

263K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

ZAlSi12因为含Si量高，其微弧氧化过程不同于其它铸造铝合金。铸铝合金中Si的存在不利于在其表面进行微弧氧化。因此，研究正向电压、氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响规律，对于获得良好的陶瓷表面层有着重要的意义。研究了不同的正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层厚度的影响规律，并对膜层进行了磨损试验。采用XRD分析陶瓷层的相组成。研究结果显示，电压为440V/120V时，陶瓷层性能最佳，膜层厚度达169μm。氧化时间为0～48min时，膜层生长速度快，超过48min后，生长缓慢。因此，适宜的氧化时间为48min。

作者：

吕凯，刘向东，池波，张雅萍，张静，刘晓丽，乌迪

上传时间：

2008-05-16 15:36:22

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peter007007 2009-11-12 12:17:12

very good

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