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> Perylrene-based n-type field-effect transistors prepared by the neutral cluster beam deposition method
Perylrene-based n-type field-effect transistors prepared by the neutral cluster beam deposition method
Perylrene-based n-type field-effect transistors prepared by the neutral cluster beam deposition method
资料类型:
PDF文件
关键词:
neutral
cluster
beam
deposition
method
资料大小:
76K
所属学科:
分子表征
来源:
2009年第8届国际共轭高分子与有机纳米结构光探测大会(6.6-6.10,北京)
简介:
Wepresentthefirstapplicationoftheneutralclusterbeamdeposition(NCBD)methodtopreparen-typeorganicthin-filmtransistorswithatop-contactstructurebasedonN,N’-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylicdiimide(P13).Systematicanalysiswascarriedouttoexaminetheeffectsofsurfacepassivationandthermalpost-treatmentonthemorphologyandcrystallinityofP13activelayersanddeviceperformance,togetherwithoperationalstabilityasafunctionoftime.
作者:
Ying Zhang,* Hoon-seok Seo, Min-jun An, Jong-ho Choi
上传时间:
2009-07-29 11:09:17
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